Afficher la notice abrégée
| dc.contributor.author |
CHEMDI, Ikram |
|
| dc.contributor.author |
MERABET, Amina |
|
| dc.date.accessioned |
2026-01-18T09:17:53Z |
|
| dc.date.available |
2026-01-18T09:17:53Z |
|
| dc.date.issued |
2024 |
|
| dc.identifier.uri |
http://dspace.univ-chlef.dz/handle/123456789/2230 |
|
| dc.description.abstract |
Dans les applications haute fréquence, l’un des circuits actifs les plus populaires est
l’amplificateur à faible bruit, (LNA : Low Noise Amplifier). Les principales applications des
amplificateurs à faible bruit sont les radiotélescopes, les stations satellite terrestre, les
systèmes radar et les systèmes de communication.
Dans ce mémoire de fin d’étude, nous concevrons un amplificateur LNA basé sur des
transistors HEMT GaN/ALGaN. Cet amplificateur est inconditionnellement stable dans la
bande X (8-12) GHz. La technologie de communication par satellite en bande X est souvent
préférée aux autres technologies de communication par satellite en raison de son faible coût,
de son débit de données élevé et de sa large zone de couverture.
La simulation et la conception de ce travail seront effectuées à l’aide du logiciel ADS
(Advanced Design System) destiné aux simulations des circuits radiofréquences.
Keywords : HEMT, amplificateur à faible bruit (LNA), la bande X, Satellite, (Advanced
Design System) |
en_US |
| dc.publisher |
FOUR Imane |
en_US |
| dc.subject |
amplificateur à faible bruit (LNA) |
en_US |
| dc.subject |
la bande X |
en_US |
| dc.subject |
HEMT |
en_US |
| dc.title |
Conception d’un amplificateur à faible bruit (LNA) dans la bande X pour des application satellitaire. |
en_US |
| dc.type |
Thesis |
en_US |
Fichier(s) constituant ce document
Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)
Afficher la notice abrégée