Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100).

Benafghoul, SEFSAF2016-10-202016-10-201989http://hdl.handle.net/123456789/340Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide .frultra-mincesoxydes, siliciumbombardement électronique .Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100).Thesis