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Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100).

Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100).

Benafghoul, SEFSAF
URI: http://hdl.handle.net/123456789/340
Date: 1989

Abstract:

Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide .

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