Dépôt DSpace/Manakin
Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100).
- Accueil de DSpace
- →
- Thèses de Doctorat Classique & LMD
- →
- Doctorat en Physique
- →
- Voir le document
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Benafghoul, SEFSAF | |
| dc.date.accessioned | 2016-10-20T09:49:37Z | |
| dc.date.available | 2016-10-20T09:49:37Z | |
| dc.date.issued | 1989 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/340 | |
| dc.description.abstract | Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide . | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | D BOLMONT | en_US |
| dc.subject | ultra-minces | en_US |
| dc.subject | oxydes, silicium | en_US |
| dc.subject | bombardement électronique . | en_US |
| dc.title | Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
Fichier(s) constituant ce document
Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)
-
Doctorat en Physique
Université Hassiba Benbouali de Chlef / Faculté des sciences