Les structures multicouches artificielles à semi-conducteurs ont stimulé le
développement rapide de micro-dispositifs électroniques fonctionnels. En effet, avec la
présence de l’effet tunnel résonant comme processus de transmission dans les hétérostructures
électroniques, ces structures ont été pourvues de propriétés de transport très intéressantes par
rapport aux matériaux massifs.
Dans ce travail, nous considèrerons le cas de défauts résonants distincts. Nous
aborderons les différentes combinaisons possibles de ces motifs défauts en fonction de
l’ajustement approprié de leurs paramètres structuraux. Chaque situation sera caractérisée par
l’étude de ses propriétés de transmission