Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100).

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dc.contributor.authorBenafghoul, SEFSAF
dc.date.accessioned2016-10-20T09:49:37Z
dc.date.available2016-10-20T09:49:37Z
dc.date.issued1989
dc.description.abstractMemoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide .en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/340
dc.language.isofren_US
dc.publisherD BOLMONTen_US
dc.subjectultra-mincesen_US
dc.subjectoxydes, siliciumen_US
dc.subjectbombardement électronique .en_US
dc.titleCroissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100).en_US
dc.typeThesisen_US

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