Etude ab-initio des propriétés électroniques et magnétiques de GaX dopé par Mn (X=N, P et As) dans le cadre de la spintronique
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Date
2024-07-05
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Mohamed BELABBAS
Abstract
Des semi-conducteurs magnétiques dilues (DMS) à base de III-V dopés par manganèse sont
très intéressants pour les applications spintroniques. Les propriétés électroniques et
magnétiques de DMS à base de III-V dopé par manganèse Ga1-xMnxN, Ga1-xMnxP et Ga1-
xMnxAs sont déterminées en utilisant un outil de simulation de type ab-initio (FP-LAPW)
méthode des ondes planes augmentées et linéarisées à potentiel total basé sur la théorie de la
densité fonctionnelle (DFT). L’objectif de ce travail est d’étudier les propriétés magnétiques
de ces alliages pour déterminer lesquels présentent un intérêt dans les applications à la
spintronique.
Description
Keywords
Ab-initio, électroniques, magnétiques, dopage, GaN/GaP/GaAs