Etude ab-initio des propriétés électroniques et magnétiques de GaX dopé par Mn (X=N, P et As) dans le cadre de la spintronique
| dc.contributor.author | BOUTELDJA, Noureddine | |
| dc.date.accessioned | 2024-09-19T09:17:35Z | |
| dc.date.available | 2024-09-19T09:17:35Z | |
| dc.date.issued | 2024-07-05 | |
| dc.description.abstract | Des semi-conducteurs magnétiques dilues (DMS) à base de III-V dopés par manganèse sont très intéressants pour les applications spintroniques. Les propriétés électroniques et magnétiques de DMS à base de III-V dopé par manganèse Ga1-xMnxN, Ga1-xMnxP et Ga1- xMnxAs sont déterminées en utilisant un outil de simulation de type ab-initio (FP-LAPW) méthode des ondes planes augmentées et linéarisées à potentiel total basé sur la théorie de la densité fonctionnelle (DFT). L’objectif de ce travail est d’étudier les propriétés magnétiques de ces alliages pour déterminer lesquels présentent un intérêt dans les applications à la spintronique. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-chlef.dz/handle/123456789/1973 | |
| dc.publisher | Mohamed BELABBAS | en_US |
| dc.subject | Ab-initio | en_US |
| dc.subject | électroniques | en_US |
| dc.subject | magnétiques | en_US |
| dc.subject | dopage | en_US |
| dc.subject | GaN/GaP/GaAs | en_US |
| dc.title | Etude ab-initio des propriétés électroniques et magnétiques de GaX dopé par Mn (X=N, P et As) dans le cadre de la spintronique | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |